http://nanowiki.no/api.php?action=feedcontributions&feedformat=atom&user=Trygvrad 2026-06-13T12:09:10Z Brukerbidrag MediaWiki 1.44.2 http://nanowiki.no/index.php?title=TFE4180_-_Halvleder_komponent-_og_kretsteknologi&diff=4940 2012-04-27T10:33:50Z

<p>Trygvrad: /* Rapporten */</p> <hr /> <div>{{Infobox<br /> |Fakta vår 2012<br /> |*Fagansvarlig: Bjørn-Ove Fimland<br /> *Foreleser: Saroj Kumar Patra<br /> *Stud-ass: Elisabeth Vågenes, Kai Erik Ekstrøm<br /> *Vurderingsform: Skriftlig eksamen<br /> *Eksamensdato: 22.05.2011<br /> }}<br /> <br /> {{Infobox<br /> |Øvingsopplegg vår 2012<br /> |* 8/12 godkjent<br /> * Innleveringssted: Elektro A383<br /> }}<br /> <br /> {{Infobox<br /> |Lab vår 2012<br /> |* 4 labøkter<br /> * Valg av tidspunkt og påmelding på it's learning<br /> }}<br /> <br /> Emnet skal formidle innsikt i halvleder tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter og integrerte kretser.<br /> <br /> == Kort om faget ==<br /> Hoveddelen av emnet er dedikert prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser ([[CMOS]] er eksempelet i dette kurset), som filmdeponering, [[ioneimplantasjon]], fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking. Det vil også ble gjennomgått krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi). Halvleder heterostruktur og supergitter. Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder ([http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_crystallography XRD], [http://en.wikipedia.org/wiki/RHEED RHEED], [http://en.wikipedia.org/wiki/Low-energy_electron_diffraction LEED]), ionestråle-baserte teknikker ([http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry SIMS]) og mikroskopi ([http://en.wikipedia.org/wiki/Optical_microscope OM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Electron_Microscope SEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_electron_microscopy TEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope STM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_force_microscope AFM]).<br /> <br /> == Lab ==<br /> Labben består av fire deler som går ut på å lage og måle en Hallbar. Teknikker som blir brukt er fotolitografi, mikroskop, elektronmikroskop, etsing, og måling av [http://en.wikipedia.org/wiki/Hall_effect Hall-effekten].<br /> <br /> === Rapporten ===<br /> Rapporten skal ha en vitenskapelig oppbygning som beskrevet i infofilen. Hele målet er finnne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen.<br /> <br /> I teorien bør man ha med ting som: hall effekt, geometrisk magnetoresistans, hall motstand og andre ting man diskuterer i rapporten.<br /> <br /> Under Eksprimentdelen går det fint å henvise til dokumentet ''Lab_practical.pdf'', men da må denne legges ved. Viktig å få med hvilken fotoresist og maske man brukte, og parametrene i fotolitografiens ti trinn.<br /> <br /> Under Resultater bør man ha med dimensjoner på hallbaren, en tabell over høydemålinger gjort med talysteppen, samt alle grafene du fikk fra målingene. Mangus (vit.ass) sa at man kun trengte å se på gjennomsnittsgrafen i figurene.<br /> <br /> Det er viktig å ha med feilkilder som: loddingen og at varme kan ødelegge dopingen, og vis dere så noe rart under inspeksjonen av hallbaren etter fotolitografien.<br /> <br /> Se [[Rapport]] for mer info om hvordan skrive en vitenskapelig rapport. Tidligere rapportrer kan være nyttige til å hente innspirasjon om form og innhold, eksempler innkluderer [[Medium:Halvlederteknologirapport.pdf | dette]] og [http://folk.ntnu.no/trygvrad/semi/rapporteks/rapport.pdf dette], med latexkode [http://folk.ntnu.no/trygvrad/semi/rapporteks/ her].<br /> <br /> ==== Tips ====<br /> * Vi har benyttet evaporation på alle prøvene i år. Evaporation/Damping er mer anisotrop enn sputtering, som er fordelaktig ved lift-off på fotoresist med undercut <br /> <br /> * Hall-måle-maskin: Vi benyttet oss av [http://www.lakeshore.com/sys/hall/hallmdn.html &quot;7500/7700 &amp; 9500/9700 Series&quot;]. Husker ikke hvilken av de, men de har felles manual. <br /> <br /> * Det man ofte er mest interessert i er dopekonsentrasjon. Videre så er dopetype (n, p) interessant for dere, siden dere i utgangspunktet ikke vet hvilken som er hvilken. Videre så vil mobiliteten fortelle noe om kvaliteten på krystallen, så det er interessant å sammenligne denne med forventet verdi fra litteraturen, f.eks. [http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html NSM Archive]. For beregning selv kan det være interessant å sml dopekonsentrasjon og mobilitet med IV-kurven via &lt;math&gt;J=\sigma \cdot E&lt;/math&gt;. Ellers er vel igrunnen de fleste verdiene allerede gitt av hall-målingsprogrammet... <br /> <br /> * r-parameteren er et tall for å relatere målt mobilitet (Hall-mobilitet) til faktisk mobilitet (og dermed driftshastigheten i materialet). Om man ikke vet hva denne er så er det best å sette den lik 1 og heller nevne det i teksten.<br /> <br /> == Eksterne linker ==<br /> *[http://www.ntnu.no/studier/emner/TFE4180 NTNUs fagbeskrivelse]<br /> *[http://www.ntnu.no/studieinformasjon/timeplan/v12/?emnekode=TFE4180-1 Timeplan V12]<br /> <br /> [[Kategori:Obligatoriske emner]]<br /> [[Kategori:Fag 5. semester]]<br /> [[Kategori:Fag]]</div>

Trygvrad